Name: Vishay Siliconix SI7703EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7703EDN-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI7703EDN-T1-GE3

Artikelnummer:

SI7703EDN-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 20V 4.3A PPAK1212-8

Datenblätte:

1.SI7703EDN-T1-GE.pdf ···: 2D -Zeichnungen
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf SI7703EDN.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI7703EDN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI7703EDN-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 800µA
Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® 1212-8
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48mOhm @ 6.3A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.3W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® 1212-8
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 4.5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.3A (Ta)
Grundproduktnummer	SI7703
SI7703EDN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI7703EDN-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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